銻化銦 Indium antimonide
結構式
| 物競編號 | 094Q |
|---|---|
| 分子式 | InSb |
| 分子量 | 236.57 |
| 標簽 | 半導體材料 |
編號系統
CAS號：1312-41-0
MDL號：MFCD00016146
EINECS號：215-192-3
RTECS號：NL1105000
BRN號：暫無
PubChem號：24874065
物性數據
1. 性狀：具有金屬光澤的化合物型半導體，其晶體結構與GaSb相同。
2. 密度（g/mL,25℃）：5.78
3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
4. 熔點（oC）：525
5. 沸點（oC,常壓）：未確定
6. 沸點（oC,0.05mmHg）：未確定
7. 折射率（n20/D）：未確定
8. 閃點（oF）：未確定
9. 比旋光度（o）：未確定
10. 自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
11. 蒸氣壓（mmHg,719oC）：未確定
12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定
13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
14. 臨界溫度（oC）：未確定
15. 臨界壓力（KPa）：未確定
16. 油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未確定
19. 溶解性：不溶于水
毒理學數據
1、急性毒性：大鼠引入腹膜LD50：3700mg/kg
生態學數據
對是水稍微有危害的不要讓未稀釋或大量的產品接觸地下水、水道或者污水系統，若無政府許可，勿將材料排入周圍環境。
分子結構數據
1、摩爾折射率：無可用的
2、摩爾體積（cm3/mol）：無可用的
3、等張比容（90.2K）：無可用的
4、表面張力（dyne/cm）：無可用的
5、介電常數：無可用的
6、極化率（10-24cm3）：無可用的
7、單一同位素質量：235.8077 Da
8、標稱質量：236 Da
9、平均質量：236.578 Da
計算化學數據
1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:0
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積0
7.重原子數量:2
8.表面電荷:0
9.復雜度:10
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:1
性質與穩定性
具有介于離子鍵與共價鍵中間的性質，禁帶范圍比較小(0.17eV)。電子遷移度大。可用于空穴元件及計算機。
貯存方法
保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風或排氣裝置
合成方法
1.將20g銦、21.22g銻置于石英盤中，裝進石英管內，在氫氣流或惰性氣流中將石英管加熱至530～540℃，使之反應。
2.單晶制法與GaSb相同。能夠采用橫形布里奇曼制單晶法，但普通多采用拉晶法進行。為了得到高純結晶都是使用高純原料。用途
是制作波長為3～5μｍ的紅外探測器的重要材料，用于制光伏型或光導型單元、多元及焦平面紅外探測器以及磁敏器件。
安全信息
危險運輸編碼：UN 1549 6.1/PG 3
危險品標志：
有害 
危害環境
安全標識：S61
文獻
暫無
備注
暫無
表征圖譜
暫無圖譜
快速導航
化學品: a | b | c | d | e | f | g | h | i | j | k | l | m | n | o | p | q | r | s | t | u | v | w | x | y | z | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9
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