砷化鎵 Gallium arsenide
結構式
| 物競編號 | 0934 |
|---|---|
| 分子式 | GaAs |
| 分子量 | 144.64 |
| 標簽 | 半導體材料 |
編號系統
CAS號：1303-00-0
MDL號：MFCD00011017
EINECS號：215-114-8
RTECS號：LW8800000
BRN號：暫無
PubChem號：24859765
物性數據
1. 性狀：立方晶系閃鋅礦型結晶。無氣味。
2. 密度（g/mL,25℃）：6.307
3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
4. 熔點（oC）：1238
5. 沸點（oC,常壓）：未確定
6. 沸點（oC,0.05mmHg）：未確定
7. 折射率（n20/D）：未確定
8. 閃點（oC）：未確定
9. 比旋光度（o）：未確定
10. 自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
11. 蒸氣壓（mmHg,20oC）：未確定
12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定
13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
14. 臨界溫度（oC）：未確定
15. 臨界壓力（KPa）：未確定
16. 油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未確定
19. 溶解性：與水反應
毒理學數據
生態學數據
對水是極其危害的，即使是少量產品滲入地下也會對飲用水造成危害，若無政府許可勿將產品排入周圍環境。對水中有機物有危害
分子結構數據
1、摩爾折射率：無可用的
2、摩爾體積（cm3/mol）：無可用的
3、等張比容（90.2K）：無可用的
4、表面張力（dyne/cm）：無可用的
5、介電常數：無可用的
6、極化率（10-24cm3）：無可用的
7、單一同位素質量：143.847178 Da
8、標稱質量：144 Da
9、平均質量：144.6446 Da
計算化學數據
1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:0
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積0
7.重原子數量:2
8.表面電荷:0
9.復雜度:10
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:1
性質與穩定性
如果遵照規格使用和儲存則不會分解，未有已知危險反應，避免酸、水分/潮濕.
為一種化合物型半導體，電流通過p-n結，直接發光，可制成激光或發光二極管。此外，本品還可用作功能元件，用于微波振蕩、毫米波放大、光通訊等方面。
貯存方法
保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風或排氣裝置
合成方法
圖XIII-20 砷化鎵的制備裝置
砷化鎵的制備裝置如圖所示，先往一端封閉的透明石英安瓿中送入裝有純鎵的石英盤，然后加入純砷，在5×10-6Torr(1Torr=133322Pa)下，真空封口。砷的加入量為其當量的1.1～1.2倍(因為砷是利用蒸氣壓控制的，所以加入量必須比充滿整個安瓿還要多一些)。為防止砷化鎵及盤受潮濕，必須向盤里面噴砂大約150～300次。將上述安瓿按圖所示裝好，裝有砷的A爐加熱到610℃，裝有鎵的B爐加熱到1250℃(根據安瓿的大小，可按砷摩爾量的1.1～1.2倍加入之)。
加熱到610℃的砷的蒸氣壓為101.325kPa，與加熱到1250℃的鎵進行反應，產生砷化鎵。經過4～5h后，將安瓿每1h往A爐拉出5～20mm，則從盤的前端逐漸生長出單晶。
用途
用于制造光電器件（ＬＣＤ），激光器（ＬＤ），場效應晶體管（ＦＥＴ），高電子遷移率晶體管（ＨＥＭＴ），異質結雙極晶體管（ＨＢＴ），高速器件和微波單片集成電路（ＭＭＩＣ），微波／毫米波集成電路（ＭＩＭＩＣ），高速集成電路，太陽電池。
安全信息
危險運輸編碼：UN 1557 6.1/PG 2
危險品標志：
有毒 
危害環境
文獻
暫無
備注
暫無
表征圖譜
暫無圖譜
快速導航
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