硅化釷 Thorium silicide
結構式
| 物競編號 | 010T |
|---|---|
| 分子式 | ThSi2 |
| 分子量 | 288.21 |
| 標簽 | 鈧族元素 |
編號系統
CAS號：12067-54-8
MDL號：暫無
EINECS號：235-079-2
RTECS號：暫無
BRN號：暫無
PubChem號：暫無
物性數據
1.性狀：黑色四方晶體。
2.密度（g/cm3）：7.96 。
3.溶解度：能溶于熱鹽酸，略溶于硫酸。
毒理學數據
暫無
生態學數據
暫無
分子結構數據
暫無
計算化學數據
1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:0
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積0
7.重原子數量:3
8.表面電荷:0
9.復雜度:18.3
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:1
性質與穩定性
暫無
貯存方法
暫無
合成方法
用Si還原ThO2可得到ThSi2。
以適當的比例(ThO2與4Si質量比為14.8g∶22.47g)稱取待反應的樣品，用苯潤濕，在一機械動力驅動的瑪瑙研缽中充分混合。此操作十分重要，否則很難維持一個穩定的反應區域。在一特殊的(可拆卸的)塑模中使用20t的水壓將樣品壓制成兩個（5×5×90）mm3的棒，然后使這兩個棒分開，在中心處用線連接固定起來，以避免在安裝或測定操作中發生扭曲。
兩棒的接觸點置于陰極系統內，開啟加速電壓，一般為3～5kV(具體值要由試驗確定)。增大陰極電流至樣品棒的上半部頂端比下半部稍熱，當電流進一步增大時，反應開始。隨著陰極電流的進一步增大，樣品棒形成一窄的熔融區，生成的氣態一氧化硅因冷凝而不會影響系統的真空度。用機械裝置來控制反應區的加熱，用電子控制器控制電流的穩定性，以建立穩定的反應區，此過程將所給的氧化物轉化為與硅的合金。確定硅合金的組成后，將合金與所需量的硅(市場上可買到的純硅)混合得到所要求的金屬與硅的比例。當加入適當過量的硅則可以得到很接近于所要求的組成，事實上，還原最好在有相當過量硅存在的情況下進行，所得產品就是硅化物和單質硅的混合物，后者可通過溶解在稀的煮沸的氫氧化鈉溶液中而被除去。
用途
暫無
安全信息
危險運輸編碼：暫無
危險品標志：暫無
安全標識：暫無
危險標識：暫無
文獻
None
備注
None
表征圖譜
暫無圖譜
快速導航
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