非晶硅薄膜 Amorphous silicon film
結構式
| 物競編號 | 00B8 |
|---|---|
| 分子式 | H6Si3 |
| 分子量 | 90.26 |
| 標簽 | 非晶硅氫合金, 氫化非晶硅、α-硅, 半導體材料 |
編號系統
CAS號：12597-37-4
MDL號：暫無
EINECS號：暫無
RTECS號：暫無
BRN號：暫無
PubChem號：暫無
物性數據
暫無
毒理學數據
暫無
生態學數據
暫無
分子結構數據
暫無
計算化學數據
暫無
性質與穩定性
非晶硅是元素硅的非晶態半導體。它的吸收系數比單晶硅大一個數量級，其吸收光譜更接近太陽光譜，有良好的光電導特性。制備非晶硅時消耗原材料少，主要原料硅烷（SiH4）成本低。可用玻璃、金屬、聚合物和陶瓷等不同材料作襯底，襯底還可是彎曲的或柔性的。工藝簡單，易于沉積大面積薄膜。它能與硅集成技術兼容，易于實現集成化。因為優質的非晶硅中常含有較多的氫，又稱為非晶硅氫合金或氫化非晶硅
貯存方法
產品應貯存放在陰涼、通風、干燥、清潔、無化學藥品腐蝕氣氛的庫房內，在運輸和貯存過程中要防止機械損傷、受潮和化學腐蝕性物品腐蝕。
合成方法
1.非晶硅太陽電池的制備方法很多，最常見的是輝光放電法［即等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD法），因為PECVD法中等離子狀態大多屬于低壓輝光放電，故又稱為輝光放電法（GD法）］，此外還有反應濺射法（SP法）、低壓化學氣相沉積法（LPCVD法）、電子束蒸發法和熱分解硅烷法等。利用輝光放電制取非晶硅薄膜的嘗試早在1969年奇蒂克等人就已實現，但對此種半導體硅材料進行摻雜，則是在1975年以后才突破的。美國于1976年采用此種方法制成非晶硅太陽電池。PECVD設備主要包括放電系統、抽氣系統、反應室及氣體導入系統。其簡單過程是：將一個石英容器抽成真空，充入氫氣或氮氣稀釋的硅烷。射頻電源用電容或電感耦合方式加在反應器外側的電極上，使硅烷電離，產生化學上非常活潑的激發態分子、離子，促進化學反應，非晶硅膜就沉積在溫度為200～300℃的襯底表面上形成薄膜。若硅烷中混入適當比例的PH5或B2H6，即可得到N型或P型的非晶硅膜。作為襯底材料，可用不銹鋼或玻璃等。這種制備非晶硅膜的工藝，在很大程度上取決于氣壓、襯底溫度、氣體流速和射頻功率等許多方面，控制條件十分嚴格。
用途
用于制造α-Si太陽電池、光接儀器、光導攝像管、空間光調制器、光傳感器、場效應器件。
安全信息
危險運輸編碼：暫無
危險品標志：暫無
安全標識：暫無
危險標識：暫無
文獻
None
備注
None
表征圖譜
暫無圖譜
快速導航
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