碲鎘汞晶體 Mercury cadmium telluride(MCT)crystal
結構式
| 物競編號 | 00B7 |
|---|---|
| 分子式 | CdHgTe2 |
| 分子量 | 568.201 |
| 標簽 | 半導體材料 |
編號系統
CAS號：29870-72-2
MDL號：暫無
EINECS號：249-914-3
RTECS號：暫無
BRN號：暫無
PubChem號：暫無
物性數據
暫無
毒理學數據
暫無
生態學數據
暫無
分子結構數據
暫無
計算化學數據
暫無
性質與穩定性
Hg1－xCdxTe晶體是HgTe-CdTe贗二元系化合物半導體合金材料，是一種直接躍遷型半導體，具有本征載流子濃度低、電子遷移率高、電子與空穴遷移率比大、光吸收系數大、熱激發速率小、電子有效質量小、熱膨脹系數與硅接近等特點。其導電類型可由本身組分的偏離來調節，也可用摻雜的辦法來控制。其禁帶寬度犈ｇ是組分狓和溫度犜的函數，通過調節狓和犜可使犈g從半金屬HgTe(Eg＝－0.3eV）至半導體CdTe（Eg＝1.648eV）之間連續變化，從而使其覆蓋波長為1～25μｍ的整個紅外區域。Hg1－xCdxTe的靜電介電常數為14～17，高頻介電常數為10～12.5，且隨組分不同而有所差異。
貯存方法
產品應貯存在陰涼、通風、干燥、清潔、無化學藥品腐蝕氣氛的庫房內。
合成方法
Hg1－xCdxTe塊狀晶體可用改進的布里奇曼法、固體再結晶法、碲溶劑法或移動加熱法制備，也可用LPE、MBE與MOCVD等外延工藝制備Hg1－xCdxTe薄膜晶體材料。
用途
用于制作各種波段的單元、多元、十字型、線列、面陣雙色和多譜等光導型和光伏型探測器，在軍事偵察、制導、預警、飛機和坦克、艦艇上的前視儀和氣象、資源、天文等衛星上，以及光纖通訊中都有廣泛的應用。
安全信息
危險運輸編碼：暫無
危險品標志：暫無
安全標識：暫無
危險標識：暫無
文獻
None
備注
None
表征圖譜
暫無圖譜
快速導航
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