氮化硅晶須 Silicon nitride whisker
結(jié)構(gòu)式
| 物競編號 | 0PF3 |
|---|---|
| 分子式 | Si3N4 |
| 分子量 | 140.28 |
| 標簽 | 無機晶須 |
編號系統(tǒng)
CAS號：12033-60-2
MDL號：暫無
EINECS號：234-787-9
RTECS號：暫無
BRN號：暫無
PubChem號：暫無
物性數(shù)據(jù)
一、物性數(shù)據(jù)
1. 性狀：呈灰白色。
2. 密度(g/mL,25/4℃）：3.18
3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：
4. 熔點（oC）：1900
5. 沸點（oC,常壓）：
6. 沸點（oC,5.2kPa）：
7. 折射率：
8. 閃點（oC）：
9. 比旋光度（o）：
10. 自燃點或引燃溫度（oC）：
11. 蒸氣壓（kPa,25oC）：
12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：
13. 燃燒熱（KJ/mol）：
14. 臨界溫度（oC）：
15. 臨界壓力（KPa）：
16. 油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：
17. 爆炸上限（%,V/V）：
18. 爆炸下限（%,V/V）：
19. 溶解性：
毒理學(xué)數(shù)據(jù)
暫無
生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)
暫無
分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)
暫無
計算化學(xué)數(shù)據(jù)
1.疏水參數(shù)計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:1
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無
6.拓撲分子極性表面積23.8
7.重原子數(shù)量:2
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:10
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價鍵單元數(shù)量:1
性質(zhì)與穩(wěn)定性
具有高強度、高彈性率、低熱膨脹系數(shù)，耐熱性、化學(xué)穩(wěn)定性、電絕緣性優(yōu)良。
貯存方法
暫無
合成方法
1.硅直接氮化法。或者將含硅原料和含碳原料混合，將所得混合物50%氯氣和氮氣氣氛中，于1300～1600oC下加進行反應(yīng)。再在空氣中，在600～800oC下燃燒除去過剩的碳，得到高純度的氮化硅晶須。也可以將鹵化硅和氨在含有氫氣的氮氣氣氛中，于1300～1400oC下進行熱分解，得到氮化硅晶須。
2.采用前驅(qū)體聚合法。1987年美國DOW Corning公司用三氯氫硅和六甲基二硅氮烷合成制得含氫聚氮硅烷的先驅(qū)體，經(jīng)紡絲，再利用三氯硅甲烷不溶化原理，進行紡絲并經(jīng)熱定型，然后再于1200℃的惰性氣氛中燒制即可得到高純α晶型為主的氮化硅纖維。
3.金屬硅氮化法。二氧化硅碳熱還原法 將高純度二氧化硅及其他含硅原料和以過渡金屬或其他化合物為催化劑的含碳原料進行混合后，將所得混合物在50%H2和N2氣氛中，于1300～1600℃下加熱進行反應(yīng)。再在空氣中，在600～800℃下燃燒除去過剩的碳，得到高純度的氮化硅晶須。鹵化硅的氣相氨分解法 鹵化硅和氨在含有氫氣的氮氣氣氛中，在1300～1600℃下進行熱分解，得到氮化硅晶須。以硅藻土為原料，先將原料置于1000～1200℃下進行燒結(jié)，然后放入碳質(zhì)容器，在焙燒爐中，于1000～1450℃的氮氨氣氛中加熱24h，在容器外壁生長出直徑0.1～2μｍ，長度大于10mm的晶須。
用途
1.用作高溫陶瓷復(fù)合材料和特殊金屬的復(fù)合材料。比如氮化硅陶瓷基復(fù)合材料、玻璃陶瓷基復(fù)合材料、碳化硅陶瓷基復(fù)合材料、氧化鋁陶瓷基復(fù)合材料以及鋁基復(fù)合材料。也可作絕熱材料使作。
2.用作高溫陶瓷復(fù)合材料和特殊金屬的復(fù)合材料。亦可作絕熱材料使用。
安全信息
危險運輸編碼：暫無
危險品標志：暫無
安全標識：暫無
危險標識：暫無
文獻
None
備注
None
表征圖譜
暫無圖譜
統(tǒng)計數(shù)據(jù)
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