乙硅烷 Disilane
結(jié)構(gòu)式
| 物競編號 | 15CD |
|---|---|
| 分子式 | Si2H6 |
| 分子量 | 62.22 |
| 標(biāo)簽 | Disilicoethane, Disilicon hexahydride, Silicoethane, disilicane, 電子用特種氣體 |
編號系統(tǒng)
CAS號：1590-87-0
MDL號：MFCD00054678
EINECS號：216-466-5
RTECS號：暫無
BRN號：暫無
PubChem號：24869889
物性數(shù)據(jù)
1. 性狀：無色透明液體
2. 密度（g/mL,15℃）：0.686
3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
4. 熔點(diǎn)（oC）：-132.5
5. 沸點(diǎn)（oC,常壓）：-14.5
6. 折射率：未確定
7. 閃點(diǎn)（oC）：未確定
8. 自燃點(diǎn)或引燃溫度（oC）：未確定
9. 比旋光度（o）： 未確定
10. 蒸氣壓（kPa,25oC）：未確定
11. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定
12. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
13. 臨界溫度（oC）：未確定
14. 臨界壓力（KPa）：未確定
15. 油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：未確定
16. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
17. 爆炸下限（%,V/V）：未確定
18. 溶解性：可與氫、氬、氮和氦以任意比例混合。
毒理學(xué)數(shù)據(jù)
微毒。
生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)
通常對水是不危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環(huán)境
分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)
暫無
計算化學(xué)數(shù)據(jù)
1.疏水參數(shù)計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:0
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無
6.拓?fù)浞肿訕O性表面積0
7.重原子數(shù)量:2
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:0
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價鍵單元數(shù)量:1
性質(zhì)與穩(wěn)定性
在常溫常壓下為無色透明氣體，具有刺激性氣味。d4－250.686，熔點(diǎn)－132．5℃，沸點(diǎn)－14．5℃，它具有與硅烷類似的化學(xué)性質(zhì)，比硅烷不穩(wěn)定，反應(yīng)性比硅烷更強(qiáng)。在光照或室溫緩慢分解成硅烷和氫，在光照下也可分解。在空氣中自燃，濃度在0.2％以上時燃燒會發(fā)出火焰，濃度低于0.2％時，則發(fā)生氧化反應(yīng)生成白色的二氧化硅。與鹵素氣體發(fā)生爆炸性地反應(yīng)，但如果是在低溫，則適度地進(jìn)行鹵化。與六氟化硫接觸則爆炸。與四氯化碳和氯仿激烈反應(yīng)。乙硅烷比硅烷更不穩(wěn)定，應(yīng)更加小心。
貯存方法
參照140206電子級硅烷。
合成方法
1.采用硅烷原料氣，經(jīng)流量計進(jìn)入放電管，在適當(dāng)溫度、頻率和電壓下，得到含乙硅烷、甲烷和氫的混合氣，將混合氣在不同的冷卻條件下進(jìn)行吸收，除掉雜質(zhì)，可得高純乙硅烷。
2.甲硅烷經(jīng)輝光放電后聚合生成高級硅烷，用液氮冷卻回收，采用低溫精餾法除去氫和甲硅烷即可。
3.采用硅烷原料氣，經(jīng)質(zhì)量流量計進(jìn)入放電管，在適當(dāng)溫度、頻率和電壓下，生成含一定量乙硅烷、甲烷和氫的混合氣，混合氣在不同的冷卻條件下進(jìn)行吸收，雜質(zhì)被排出，可得高純乙硅烷。
用途
1.用于太陽能電池、感光轉(zhuǎn)筒、非晶硅膜、外延成長、氧化膜、氮化膜、化學(xué)氣相沉積等方面。在太陽能電池生產(chǎn)中，用乙硅烷比用硅烷在非晶硅片上的沉積速度快得多，且溫度可降低200～300℃。 在離子注入中，以乙硅烷作離子源后易起輝、束流強(qiáng)，效果明顯好于用其他氣體作離子源。
2.在半導(dǎo)體工藝中用于外延和擴(kuò)散工藝，也用于太陽能電池和電子照相用的感光鼓。
3.本品可用于太陽能電池生產(chǎn)、分子束外延和離子注入等技術(shù)。在太陽能電池生產(chǎn)中，用乙硅烷比用硅烷在非晶硅片上的沉積速度快得多，且溫度可降低200～300℃。在離子注入中，以乙硅烷作離子源后易起輝、束流強(qiáng)，效果明顯好于用其他氣體作離子源。
安全信息
危險運(yùn)輸編碼：UN 3161 2.1
危險品標(biāo)志：
易燃 
有害
安全標(biāo)識：S16 S24 S26 S36/S37/S39
危險標(biāo)識：R17 R42 R20/21 R36/37/38
文獻(xiàn)
暫無
備注
暫無
表征圖譜
統(tǒng)計數(shù)據(jù)
共收錄化學(xué)品數(shù)據(jù)
147579 條
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