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    物競編號 1747
    分子式 C
    分子量 12.01
    標(biāo)簽 半導(dǎo)體材料

    編號系統(tǒng)

    CAS號:7782-40-3

    MDL號:MFCD00211867

    EINECS號:231-953-2

    RTECS號:HL4158550

    BRN號:暫無

    PubChem號:暫無

    物性數(shù)據(jù)

    1.       性狀:粉末

    2.       密度(g/mL at 25°C):3.5

    3.       相對蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定

    4.       熔點(diǎn)(oC):未確定

    5.       沸點(diǎn)(oC,常壓):未確定

    6.       沸點(diǎn)(oC,0.1mmHg):未確定

    7.       折射率(n20/D):未確定

    8.       閃點(diǎn)(oC):未確定

    9.       比旋光度(o):未確定

    10.    自燃點(diǎn)或引燃溫度(oC):未確定

    11.    蒸氣壓(mmHg,20oC):未確定

    12.    飽和蒸氣壓(kPa,-164oC):未確定

    13.    燃燒熱(KJ/mol):未確定

    14.    臨界溫度(oC):未確定

    15.    臨界壓力(MPa):未確定

    16.    油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對數(shù)值:未確定

    17.    爆炸上限(%,V/V):未確定

    18.    爆炸下限(%,V/V):未確定

    19.    溶解性:未確定

    毒理學(xué)數(shù)據(jù)

    暫無

    生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)

    暫無

    分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)

    暫無

    計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)

    1、   疏水參數(shù)計(jì)算參考值(XlogP):-1.1

    2、   氫鍵供體數(shù)量:0

    3、   氫鍵受體數(shù)量:2

    4、   可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0

    5、   互變異構(gòu)體數(shù)量:

    6、   拓?fù)浞肿訕O性表面積(TPSA):34.1

    7、   重原子數(shù)量:2

    8、   表面電荷:0

    9、   復(fù)雜度:0

    10、   同位素原子數(shù)量:0

    11、   確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0

    12、   不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0

    13、   確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0

    14、   不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0

    15、   共價鍵單元數(shù)量:1

    性質(zhì)與穩(wěn)定性

    金剛石晶體膜是一種人工合成的新型功能材料,它由金剛石微晶體構(gòu)成,具有高硬度、低摩擦、高熱導(dǎo)率(為銅的5倍)、低膨脹系數(shù)、良好抗熱沖擊性能、良好抗腐蝕性、極高電絕緣強(qiáng)度、寬波段高透過率和高電子折射率等多項(xiàng)復(fù)合性能。

    本品無毒。

    貯存方法

     產(chǎn)品應(yīng)貯存放在陰涼、通風(fēng)、干燥、清潔、無化學(xué)藥品腐蝕氣氛的庫房內(nèi)。

    合成方法

    制備金剛石薄膜常用的方法是氣相沉積法,該方法可分以下3種類型。

    (1)熱化學(xué)氣相沉積(TCVD)法 在高溫下使含碳?xì)庀嘟M分發(fā)生熱分解即形成金剛石薄膜。這一方法在早期的制備過程中是比較成功的方法,目前采用很多的熱絲法(EFCVD)以及對于沉積速率有著獨(dú)特優(yōu)越性的熱化學(xué)焰法均屬于此類。
    (2)物理化學(xué)氣相沉積法 用物理化學(xué)方法促進(jìn)CVD過程,例如等離子增強(qiáng)CVD(PECVD或PACVD)、微波等離子體CVD(MWCVD)、射頻等離子體CVD(RFPECVD)和直流等離子體CVD(DCPECVD)及電子增強(qiáng)CVD(EACVD)等。
    (3)物理氣相沉積法 即用物理方法(蒸發(fā)、濺射、離子束等)直接從碳源獲取碳原子或碳離子,將含碳?xì)怏w轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)活性碳原子,定向沉積在物體表面并沉積生成一層致密、均勻、光滑的碳碳原子鍵結(jié)構(gòu)的固態(tài)晶體膜。這類工藝的關(guān)鍵技術(shù)是利用高能離子在基材表面的微區(qū)內(nèi)形成75000℃和壓強(qiáng)12×109Pa的熱尖峰,其持續(xù)時間為10-21s,從而促進(jìn)金剛石膜的形成。沉積工藝需在高能態(tài)、高真空條件下,嚴(yán)格控制電磁場能量,精確掌握含碳化合物的原材料配比和濃度,以及反應(yīng)沉積速率。

    用途

    用于金屬、塑料、玻璃等材料表面生成金剛石膜。如半導(dǎo)體及半導(dǎo)體器件熱沉電阻、電絕緣層。

    安全信息

    危險運(yùn)輸編碼:暫無

    危險品標(biāo)志:暫無

    安全標(biāo)識:暫無

    危險標(biāo)識:暫無

    文獻(xiàn)

    暫無

    備注

    暫無

    表征圖譜

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