結構式
| 物競編號 | 14SE |
|---|---|
| 分子式 | CF4 |
| 分子量 | 88.00 |
| 標簽 | 四氟甲烷, 四氟甲烷四氟化碳, Tetraflouro methane, 低溫制冷劑, 潤滑劑, 紅外檢波管的冷卻劑, 鹵代烴類溶劑, 電子特種氣體原料及中間體 |
CAS號:75-73-0
MDL號:MFCD00000371
EINECS號:200-896-5
RTECS號:FG4920000
BRN號:暫無
PubChem號:24857807
1.性狀:無色無味氣體[1]
2.熔點(℃):-183.6[2]
3.沸點(℃):-127.8[3]
4.相對密度(水=1):1.96(-184℃)[4]
5.相對蒸氣密度(空氣=1):3.04[5]
6.飽和蒸氣壓(kPa):13.33(-150.7℃)[6]
7.臨界溫度(℃):-45.5[7]
8.臨界壓力(MPa):3.74[8]
9.辛醇/水分配系數:1.18[9]
10.溶解性:不溶于水,溶于苯和氯仿。[10]
11.臨界密度(g·cm-3):0.626
12.臨界體積(cm3·mol-1):141
13.臨界壓縮因子:0.279
14.van der Waals面積(cm2·mol-1):4.600×109
15.van der Waals體積(cm3·mol-1):27.330
16.Lennard-Jones參數(A):4.5306
17.Lennard-Jones參數(K):158.90
18.氣相標準聲稱熱(焓)( kJ·mol-1) :-933.5
19.氣相標準熵(J·mol-1·K-1) :261.40
20.氣相標準生成自由能( kJ·mol-1):-888.8
21.氣相標準熱熔(J·mol-1·K-1):61.05
1.急性毒性 暫無資料
2.刺激性 暫無資料
3.其他[11] LCLo:895000ppm(大鼠吸入,15min)
1.生態毒性 暫無資料
2.生物降解性 暫無資料
3.非生物降解性 暫無資料
4.其他有害作用[12] 溫室氣體,其造成溫室效應的作用是二氧化碳的數千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩定,而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。
1、摩爾折射率:7.3
2、摩爾體積(cm3/mol):66.8
3、等張比容(90.2K):105.0
4、表面張力(dyne/cm):6.0
5、介電常數:無可用
6、偶極距(10-24cm3):無可用
7、極化率:2.89
1.疏水參數計算參考值(XlogP):1.8
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:4
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積0
7.重原子數量:5
8.表面電荷:0
9.復雜度:19.1
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:1
常溫常壓下穩定,避免強氧化劑、易燃或可燃物。不燃氣體,遇高熱后容器內壓增大,有開裂、爆炸危險。化學性質穩定,不燃。常溫下只有液氨-金屬鈉試劑能發生作用。
儲存注意事項[13] 儲存于陰涼、通風的不燃氣體專用庫房。遠離火種、熱源。庫溫不宜超過30℃。應與易(可)燃物、氧化劑分開存放,切忌混儲。儲區應備有泄漏應急處理設備。
1.由碳與氟反應,或一氧化碳與氟反應,或碳化硅與氟反應,或氟石與石油焦在電爐里反應,或二氟二氯甲烷與氟化氫反應,或四氯化碳與氟化銀反應,或四氯化碳與氟化氫反應,都能生成四氟化碳。四氯化碳與氟化氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,最后經精餾而得成品。
2.預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應,反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,將其通過裝有氫氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化硅,隨后通過硅膠和五氧化二磷干燥塔得到最終產品。
3.以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。產品經除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質、再經脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾,通過控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。
1.用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝,也用作激光氣體,用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。
2.是目前微電子工業中用量最大的等離子蝕刻氣體,四氟甲烷高純氣及四氟甲烷高純氣、高純氧的混合氣,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽能電池生產、激光技術、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。
3.用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術。[14]
危險運輸編碼:UN 1982 2.2
危險品標志:暫無
安全標識:暫無
危險標識:暫無
[1~14]參考書:危險化學品安全技術全書.第一卷/張海峰主編.—2版.北京;化學工業出版社,2007.6 ISBN 978-7-122-00165-8
暫無
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