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    物競編號 000E
    分子式 Si
    分子量 28.086
    標簽 多晶硅, 工業硅, 結晶硅, 硅粉, 硅微粉, 單晶硅, 金屬硅, 純元素, 半導體材料

    編號系統

    CAS號:7440-21-3

    MDL號:MFCD00085311

    EINECS號:231-130-8

    RTECS號:VW0400000

    BRN號:暫無

    PubChem號:24856223

    物性數據

    1.性狀:黑褐色無定形非金屬粉末。[1]

    2.熔點(℃):1410[2]

    3.沸點(℃):2355[3]

    4.相對密度(水=1):2.30(20℃)[4]

    5.飽和蒸氣壓(kPa):0.13(1724℃)[5]

    6.臨界壓力(MPa):53.6[6]

    7.溶解性:不溶于水,不溶于鹽酸、硝酸,溶于氫氟酸、堿液。[7]

    毒理學數據

    1.急性毒性[8]   LD50:3160mg/kg(大鼠經口)

    2.刺激性   暫無資料

    生態學數據

    1.生態毒性  暫無資料

    2.生物降解性  暫無資料

    3.非生物降解性   暫無資料

    分子結構數據

    1、摩爾折射率:無可用的

    2、摩爾體積(cm3/mol):無可用的

    3、等張比容(90.2K):無可用的

    4、表面張力(dyne/cm):無可用的

    5、介電常數:無可用的

    6、極化率:無可用的

    7、單一同位素質量:27.974732 Da

    8、標稱質量:28 Da

    9、平均質量:28.0833 Da

    計算化學數據

    1.疏水參數計算參考值(XlogP):無

    2.氫鍵供體數量:0

    3.氫鍵受體數量:0

    4.可旋轉化學鍵數量:0

    5.互變異構體數量:無

    6.拓撲分子極性表面積0

    7.重原子數量:1

    8.表面電荷:0

    9.復雜度:0

    10.同位素原子數量:0

    11.確定原子立構中心數量:0

    12.不確定原子立構中心數量:0

    13.確定化學鍵立構中心數量:0

    14.不確定化學鍵立構中心數量:0

    15.共價鍵單元數量:1

    性質與穩定性

    1.晶體硅屬于原子晶體,硬而有光澤,是典型的半導體。在常溫下,除氟化氫以外,很難與其他物質發生反應,不溶于水、硝酸和鹽酸,溶于氫氟酸和堿液。在高溫下能與氧氣等多種元素化合。具有硬度高、不吸水、耐熱、耐酸、耐磨和耐老化等特點。硅在自然界分布極廣,地殼中約含27.6%,主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在。

    2.生產設備要密閉,車間通風應良好。生產人員工作時要佩戴防毒口罩,密閉眼鏡,穿工作服等勞動保護用品,以防止呼吸器官、眼睛和皮膚接觸。中毒者應立即轉移到新鮮空氣中進行人工呼吸、輸氧,注射葡萄糖及強心劑,并迅速送醫院治療。

    3.硅粉與鈣、碳化銫、氯、氟化鈷、氟、三氟化碘、三氟化錳、碳化銣、氟化銀、鉀鈉合金劇烈反應。粉塵遇火焰或與氧化劑接觸發生反應,有中等程度的危險性。

    4.穩定性[9]  穩定

    5.禁配物[10]  強氧化劑、水蒸氣

    6.避免接觸的條件[11]  潮濕空氣

    7.聚合危害[12]  不聚合

    貯存方法

    儲存注意事項[13] 儲存于陰涼、干燥、通風良好的庫房。庫溫不宜超過35℃。遠離火種、熱源。包裝要求密封,不可與空氣接觸。應與氧化劑等分開存放,切忌混儲。采用防爆型照明、通風設施。禁止使用易產生火花的機械設備和工具。儲區應備有合適的材料收容泄漏物。

    合成方法

    1.三氯氫硅法:將干燥的硅粉加入合成爐中,與通入的干燥氯化氫氣體在280~330℃有氯化亞銅催化劑存在下進行氯化反應,反應氣體經旋風分離除去雜質,再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態三氯氫硅冷凝成液體,經粗餾塔蒸餾和冷凝,除去高沸物和低沸物,再經精餾塔蒸餾和冷凝,得到精制三氯氫硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質含量小于1×10-7,硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內,用超純氫氣作還原劑,在1050~1100℃還原成硅,并以硅芯棒為載體,沉積而得多晶硅成品。其反應式如下:

    圖XIV-6 硅的制取裝置

    2.用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合,加熱到1900℃左右進行還原。此方法制得的硅純度為97%~98%,被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進行重結晶,用酸除去雜質,得到純度為99.7%~99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅,還要將其轉化成易于提純的液體或氣體形式,再經蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅,則需要進行進一步的提純處理。

    3.用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合,用1000~3000kVA開式電弧爐,加熱到1900℃左右進行還原。

    用途

    1.高純的單晶硅是重要的半導體材料。金屬陶瓷、宇宙航行的重要材料。光導纖維通信,最新的現代通信手段。性能優異的硅有機化合物。硅是一種半導體材料,可用于制作半導體器件和集成電路。還可以合金的形式使用(如硅鐵合金),用于汽車和機械配件。也與陶瓷材料一起用于金屬陶瓷中。還可用于制造玻璃、混凝土、磚、耐火材料、硅氧烷、硅烷。制造硅烷和硅酮。制造硅有機化合物、合金、耐火材料等。

    2.主要用于半導體、合金、有機硅高分子材料。高純的單晶硅是重要的半導體材料。用作二極管、三極管、晶閘管和各種集成電路材料。在開發能源方面也是一種很有前途的材料,可以制造太陽能電池等。將陶瓷和金屬混合燒結,制成金屬陶瓷復合材料,耐高溫,富韌性,可以切割,集合了金屬和陶瓷的優點,是金屬陶瓷、宇宙航行的重要材料。用純二氧化硅制得的高透明度的玻璃纖維,光纖通信容量高,且不受電、磁干擾,并具有高度的保密性,可用于光導纖維通信。硅有機化合物可作為塑料、涂料等,得到了廣泛應用。

    3.用于制造合金、有機硅化合物和四氯化硅等,是一種極重要的半導體材料。[14]

    安全信息

    危險運輸編碼:暫無

    危險品標志:暫無

    安全標識:暫無

    危險標識:暫無

    文獻

    [1~14]參考書:危險化學品安全技術全書.第一卷/張海峰主編.—2版.北京;化學工業出版社,2007.6 ISBN 978-7-122-00165-8

    備注

    暫無

    表征圖譜

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