銻化鎵 Gallium antimonide
結(jié)構(gòu)式
| 物競編號 | 0LBM |
|---|---|
| 分子式 | GaSb |
| 分子量 | 191.48 |
| 標(biāo)簽 | 半導(dǎo)體材料 |
編號系統(tǒng)
CAS號：12064-03-8
MDL號：MFCD00016101
EINECS號：235-058-8
RTECS號：暫無
BRN號：暫無
PubChem號：24883831
物性數(shù)據(jù)
1. 性狀：類似鍺的化合物型半導(dǎo)體，灰白色，立方晶系閃鋅礦型結(jié)晶。
2. 密度（g/mL,25℃）：5.61
3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
4. 熔點（oC）：706
5. 沸點（oC,常壓）：未確定
6. 沸點（oC，1mmHg）：未確定
7. 折射率：未確定
8. 閃點（oC）：未確定
9. 比旋光度（o）：未確定
10. 自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
11. 蒸氣壓（20oC）：未確定
12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定
13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
14. 臨界溫度（oC）：未確定
15. 臨界壓力（KPa）：未確定
16. 油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：未確定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未確定
19. 溶解性：不溶于水
毒理學(xué)數(shù)據(jù)
主要的刺激性影響：
在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜
在眼睛上面：刺激的影響
致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象
生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)
通常對水體是極其有害的，即使小量產(chǎn)品也不能接觸地下水，水道或污水系統(tǒng)
分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)
暫無
計算化學(xué)數(shù)據(jù)
1.疏水參數(shù)計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:0
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無
6.拓?fù)浞肿訕O性表面積0
7.重原子數(shù)量:2
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:10
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價鍵單元數(shù)量:1
性質(zhì)與穩(wěn)定性
常溫常壓下穩(wěn)定
避免的物料 氧化物 酸 堿
銻化鎵單晶的重要特征是無論用什么方法制備，室溫下最高純度的銻化鎵單晶總是Ｐ型，其機(jī)理尚不完全清楚，一種主要觀點認(rèn)為是由過剩Ｓｂ空位造成的。它的價帶自旋軌道的分裂可以得到空穴離化系數(shù)增大的能級，可改善長波長雪崩光電探測器（ＡＰＤ）的信噪比。由于ＧａＳｂ單晶的臨界屈服應(yīng)力較大（１５．８Ｎ／ｍｍ２），故其位錯密度不高（不超過１０３數(shù)量級），適于制作ＧａＩｎＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ激光器、ＧａＩｎＡｓＳｂ探測器和ＧａＡｓ／ＧａＳｂ疊層太陽電池（轉(zhuǎn)換效率超過３０％）。
貯存方法
常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥
合成方法
把20g鎵、34.94g銻放進(jìn)石墨盤中，裝入石英管內(nèi)，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。
為了制得GaSb單晶，可以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態(tài)的GaSb從盤的一端開始固化形成結(jié)晶。如欲制成半導(dǎo)體用GaSb時，所用原料盤及石英管均應(yīng)是高純度的制品，必要時可進(jìn)行區(qū)域熔融提純。用途
用于制造激光器，探測器，高頻器件，太陽電池。
安全信息
危險運(yùn)輸編碼：UN 1549 6.1/PG 3
危險品標(biāo)志：
有害 
危害環(huán)境
安全標(biāo)識：S61
文獻(xiàn)
暫無
備注
暫無
表征圖譜
暫無圖譜
統(tǒng)計數(shù)據(jù)
共收錄化學(xué)品數(shù)據(jù)
147579 條
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