磷化銦 Indium phosphide, polycrystalline lump
結(jié)構(gòu)式
| 物競(jìng)編號(hào) | 0PYA |
|---|---|
| 分子式 | lnP |
| 分子量 | 145.79 |
| 標(biāo)簽 | Indium phosphide, Indium(III) Phosphide, Indium monophosphide, 半導(dǎo)體材料 |
編號(hào)系統(tǒng)
CAS號(hào)：22398-80-7
MDL號(hào)：MFCD00016153
EINECS號(hào)：244-959-5
RTECS號(hào)：NL1800000
BRN號(hào)：暫無
PubChem號(hào)：24862718
物性數(shù)據(jù)
1. 性狀：單晶呈銀灰色，質(zhì)地較軟
2. 密度（g/mL,25/4℃）：未確定
3. 相對(duì)蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
4. 熔點(diǎn)（oC）：1600
5. 沸點(diǎn)（oC,常壓）：未確定
6. 沸點(diǎn)（oC,5.2kPa）： 未確定
7. 折射率： 未確定
8. 閃點(diǎn)（oC）： 未確定
9. 比旋光度（o）： 未確定
10. 自燃點(diǎn)或引燃溫度（oC）： 未確定
11. 蒸氣壓（kPa,25oC）： 未確定
12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）： 未確定
13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
14. 臨界溫度（oC）： 未確定
15. 臨界壓力（KPa）： 未確定
16. 油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對(duì)數(shù)值： 未確定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
18. 爆炸下限（%,V/V）： 未確定
19. 溶解性：極微溶于無機(jī)酸
毒理學(xué)數(shù)據(jù)
暫無
生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)
對(duì)水是稍微危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環(huán)境
分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)
暫無
計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)
1.疏水參數(shù)計(jì)算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:0
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無
6.拓?fù)浞肿訕O性表面積0
7.重原子數(shù)量:2
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:10
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價(jià)鍵單元數(shù)量:1
性質(zhì)與穩(wěn)定性
1.如果遵照規(guī)格使用和儲(chǔ)存則不會(huì)分解
避免接觸氧化物，酸。極微溶于無機(jī)酸。介電常數(shù)：108。電子遷移率：約4600 cm2/V·s?？昭ㄟw移率：約150 cm2/V·s。具有半導(dǎo)體的特性。
2.它有較高的極限速度，所以，ＩｎＰ高頻器件的工作極限頻率比ＧａＡｓ更高，電子擴(kuò)散速率與電子遷移率之比小于ＧａＡｓ，故更利于制作低噪聲器件。
貯存方法
保持貯藏器密封
放入緊密的貯藏器內(nèi)，儲(chǔ)存在陰涼，干燥的地方
合成方法
用高壓?jiǎn)尉t制備磷化銦單晶是最主要的方法，并用摻等電子雜質(zhì)的方法降低晶體的位錯(cuò)密度。而氣相外延，多采用In-PCl3-H2系統(tǒng)的歧化法，在該工藝中用銦(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之間的反應(yīng)來生長磷化銦層。
氣相外延將石英反應(yīng)管放在雙溫區(qū)電爐中，已凈化的高純氫氣經(jīng)計(jì)量通入，氫氣也用來稀釋三氯化磷，此時(shí)彭泡器保持在0℃，通過反應(yīng)管內(nèi)的氫氣線速度為14 cm/min。外延生長分為誘個(gè)階段進(jìn)行。
在第一階段，將盛有銦的石英舟放在電爐中源區(qū)，通入氫氣并加熱到700～850℃，再用氫氣將三氯化磷引入，在銦源上方被還原成磷蒸氣和氯化氫。鎘化氫與銦反應(yīng)生成一氯化銦蒸氣在管中遷移。磷溶解在銦中直至飽和為止。
在第二階段，銦源保持在原位置不加熱，單晶襯底放在電爐的第二加溫區(qū)后，在氫氣氛下加熱到600～750℃。首先用氫氣將三氯化磷引入到管內(nèi)對(duì)襯底進(jìn)行氣相腐蝕，清洗襯底表面。再將氫氣直接引入反應(yīng)管，并把源加熱到它的過飽和溫度(在操作中此溫度比襯底晶體的溫度高100℃)。然后通過氫氣鼓泡將三氯化磷引入，這時(shí)磷蒸氣與在源區(qū)生成的一氯化銦反應(yīng)，在襯底上淀積生長出磷化銦層。當(dāng)外延生長完成后，向系統(tǒng)中通入純氫氣，將兩個(gè)溫區(qū)冷卻到室溫，取出產(chǎn)物，制得磷化銦成品。
2.取化學(xué)計(jì)量的銦和紅磷封入石英管中，反應(yīng)溫度在700℃經(jīng)350～400h，可制得InP,收率為94%～95%。
3.用銦和比化學(xué)計(jì)算量略多的Zn3P2按合成AlP相同的方法，在700～800℃下加熱1～2日則可制得磷化銦。本法收率低。產(chǎn)物用稀鹽酸處理就可以得到純的InP。
4.由鹵素反應(yīng)系統(tǒng)制取的方法。在高真空中，加熱650℃以上，使InP升華。欲制得純的InP，要使用過量的In。
用途
用作半導(dǎo)體材料，用于光纖通訊技術(shù)，需要1.1～1.6-μm范圍內(nèi)的光源和接受器。在InP襯底上生長InGaAsP雙異質(zhì)結(jié)激光器既能滿足晶格匹配，又能滿足波長范圍的要求。
安全信息
危險(xiǎn)運(yùn)輸編碼：UN3288
危險(xiǎn)品標(biāo)志：暫無
安全標(biāo)識(shí)：S24/25
危險(xiǎn)標(biāo)識(shí)：暫無
文獻(xiàn)
暫無
備注
暫無
表征圖譜
暫無圖譜
統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)
共收錄化學(xué)品數(shù)據(jù)
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